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EPF6024ATC144-3N

EPF6024ATC144-3N,现场可编程门阵列(FPGA),24K Gates,1960 Cells,142.86MHz,CMOS Technology,3.3V,由Altera原厂生产,TQFP-144封装,详细参数为:所属产品系列:FLEX 6000,逻辑门数量(Gates):24000,逻辑单元数量(Cell...

G9EN1DC12

G9EN1DC12,继电器,SPST-NO,60A,12V,28.8Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:60 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:417 mA; 线圈电阻:28.8 Ohm; 最大额定DC直流电压:400 V; 端子类型:S...

LP5951MF-1.5/NOPB

LP5951MF-1.5/NOPB,微功耗 150mA 低压降 CMOS 电压稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.8 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:1.5 V,精度:±2 %,最大静态电流:0.055 mA...

TPS7A4525DCQT

TPS7A4525DCQT,低噪声快速瞬态响应 1.5A,2.5V输出,LDO 稳压器,品牌:TI,封装:SOT223-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.9 V,最大输入电压:20 V,最大输出电流:1.5 A,输出电压:2.5 V,典型压差电压@电流:0.02@1mA|0.08...

STM32F372VBT6

STM32F372VBT6,单片机,微控制器,72MHz,32位,128KB闪存,24K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LQFP,参数:MCU,72MHz,32Bit,128KB Flash,24K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

IRF7103

IRF7103,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=50V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=200mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

NE5532ADR

NE5532ADR ,双路低噪声运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:10 MHz,典型转换速率:9@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:16@±15V mA,最大输入失调电压:4@±15V mV,最大输入偏置电流:0.8@±15V uA,典型输入噪声电压密度...

CDSOD323-T15L

CDSOD323-T15L,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:Bourns,封装:SOD-323-2,参数:类型:TVS; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:31.8 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Disc KV;...

THS3125

THS3125,具有关断状态的双路高输出电流的 120MHz 放大器,TI原厂生产,HTSSOP-14,SOIC-14封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SMBJ7.0CE3

SMBJ7.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 45.1 A; 最大反向漏电流:...

CD4046BNSRE4

CD4046BNSRE4,射频IC,锁向环,PLL Single 0.3MHz to 2.4MHz,品牌:TI,封装:16SOP,咨询购买请致电:0755-83897562

M39016/30-045L

M39016/30-045L,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,9VDC,280Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:9 V...

1N6041A

1N6041A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 5 uA...

SMCJ28CAE3

SMCJ28CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流...

A3P125-1TQG144

A3P125-1TQG144,现场可编程门阵列(FPGA),125K Gates,272MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,TQFP-144封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):125000,系统门数量(System Ga...

BCR162E6327HTSA1

BCR162E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...

CL31C100JGFNNNF

CL31C100JGFNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562

NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...

TAZB475M004CBSZ0800

TAZB475M004CBSZ0800,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: B型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 8 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...

ADF4360-6BCPZ

ADF4360-6BCPZ,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Single,品牌:ADI(Analog Devices),封装:24LFCSP EP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562