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VCUT0505B-HD1-GS08

VCUT0505B-HD1-GS08, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 56W,品牌:Vishay,封装:2LLP,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 56 W; 最大峰值脉冲电流: 3.5 A; 最大反向漏电流:...

XC2S15-6TQG144C

XC2S15-6TQG144C,现场可编程门阵列(FPGA),15K Gates,432 Cells,263MHz,0.18um Technology,2.5V,由Xilinx原厂生产,TQFP-144封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-II,逻辑门数量(Gates):15000,逻辑单元数量(Cells)...

LMH6559MA/NOPB

LMH6559MA/NOPB ,高速,闭环缓冲器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:1通道,通用放大器,典型转换速率:2070@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:8.5@5V mA,最大输入失调电压:16@5V mV,最大输入偏置电流:2.7(Typ)@5V uA,典型输入噪声电压密度:4@5V n...

MBL108S-M3/I

MBL108S-M3/I,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:MBLS-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:800 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:1 A; 峰值正向电压:0.95@0.4A V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:...

CL10C050CB8NNND

CL10C050CB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562

TL034CNSR

TL034CNSR ,四路增强型 JFET 低功耗精密运算放大器,TI原厂生产,SOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:2@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1@±5V mA,最大输入失调电压:6@±5V mV,最大输入偏置电流:0.0002@±5V uA,典型...

SGP20N60XKSA1

SGP20N60XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...

TX2-LT-5V

TX2-LT-5V,继电器,DPDT,2A,5VDC,125Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver/Gold Clad...

DAC1280IPW

DAC1280IPW,用于地震应用的极低失真数模转换器,由TI原厂生产,TSSOP-16封装,参数为:转换速率:256 Ksps,架构:Current Steering,数字接口类型:Serial,DAC通道数:1,每芯片输出:1,输出类型:Current,信噪比:120 dB,积分非线性误差:0.0001 % of ...

DCX143EH-7

DCX143EH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...

CY24292LFXI

CY24292LFXI,射频IC,锁向环,PLL Clock Synthesizer Single,品牌:Cypress,封装:32QFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562

T495E337M010ATE100

T495E337M010ATE100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7260-38,E型,参数:容值: 330 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*3.6*6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...

BCR192E6327HTSA1

BCR192E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...

FMMT491

FMMT491,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=1000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.5V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

2SC4132T100R

2SC4132T100R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:180@0.1A@5V; 最大工作频率:80(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.1A@1A V...

BCX55-16,135

BCX55-16,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...

T494C474K050AT

T494C474K050AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 0.47 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.8 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...

SA70A-E3

SA70A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...

RT65KP48CA/TR8

RT65KP48CA/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 65KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 65000 W; 最大峰值脉冲电流: 836 A; 最大...

BZX84B20

BZX84B20,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=20V,Min=19.6V,Max=20.4V,Zzt=55欧姆,Zzk=225欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562