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3.0SMCJ28A-13

3.0SMCJ28A-13, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 3KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 66.1 A; 最大反向漏电流: 5...

ADSP-BF514BSWZ4F16

ADSP-BF514BSWZ4F16,品牌:Analog Devices,封装:LQFP-176 EP,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:400 MHz,RAM大小:48 KB,数据总线宽度:16|32 Bit,设备输入时钟速度:400 MHz,指令集架构:Modified Harvard,工...

9DB206CFLF

9DB206CFLF,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:28SSOP,咨询购买请致电:0755-83897562

ST72F361J9T6

ST72F361J9T6,单片机,微控制器,8MHz,8位,60KB闪存,2K RAM内存,品牌:ST,封装:44-LQFP,参数:MCU,8MHz,8Bit,60KB Flash,2K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

CL21C330JBANFNC

CL21C330JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562

DVR3V3W-7

DVR3V3W-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:18 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@30mA@...

VS-16RIA20

VS-16RIA20,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-48-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:200 V; 最大保持电流:130 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:360 A; 重复峰值正向阻断电压:200 V; 峰值通态电压:1.75@50A V; 重复峰值断态电流:10 ...

T835-600B-TR

T835-600B-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.55@11A V; 重复峰值断态电流:0.005...

T409H226J020BCT200

T409H226J020BCT200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: H型,参数:容值: 22 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 5%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...

IRFH5053

IRFH5053,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,Id=46A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

PEMH24,115

PEMH24,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:20 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...

9DB104BGLFT

9DB104BGLFT,射频IC,锁向环,IC ZERO DELAY PLL CLOCK BUFFER SNGL UP TO 200MHZ 3.3V 28TSSOP,品牌:IDT,封装:28TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562

DST3946DPJ-7

DST3946DPJ-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-963-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V@NPN|70@1mA@1V@NPN|100@10mA@1V@NPN|60...

BTB10-600BWRG

BTB10-600BWRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:50 mA; 浪涌电流额定值:105 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.55@14A V; 重复峰值断态电流...

A3056EU

A3056EU,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:齿轮传感型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

XA6SLX100-2FGG484Q

XA6SLX100-2FGG484Q,现场可编程门阵列(FPGA),101261 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:XA Spartan-6,逻辑单元数量(Cells):101261,逻辑单元数量(Units):1...

TPS720105DRVT

TPS720105DRVT,微功耗非常低压降 (LDO) PMOS 可调节稳压器,输出0.35 A/1.05 V,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.1 V,最大输入电压:4.5 V,最大输出电流:0.35 A,输出电压:1.05 V,最大功耗:1...

TPS7233QP

TPS7233QP,微功耗非常低压降 (LDO) PMOS 电压稳压器,品牌:TI,封装:PDIP-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:3.98 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.25 A,输出电压:3.3 V,最大功耗:1175 mW,典型压差电压@电流:0.014@10...

SMC3K70CA-M3

SMC3K70CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 70V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 26.5 A; ...

TRJA335K016R3500

TRJA335K016R3500,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3.5 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...