PMBS3904,235
PMBS3904,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@...
MUN2230T1G
MUN2230T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:3@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
BAT60B
BAT60B,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=350mW,Vr=10V,Vf=0.6V,Ir=25uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMS320C6474FZUN2
TMS320C6474FZUN2,数字信号处理器(DSP),32-Bit 1.2GHz 9600MIPS,品牌:Texas Instruments,封装:FCBGA-561,详细参数:最大速度:1200 MHz,设备每秒百万指令:9600 MIPS,数据总线宽度:32 Bit,设备输入时钟速度:1200 MHz,指令集...
T409F475K025CCT250
T409F475K025CCT250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: F型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
OPA130UA/2K5
OPA130UA/2K5 ,低功耗精密 FET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:2@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:1@±15V mV,最大输入偏置电流:0.00002@±15V uA,典型输入噪声电压密度:30@±...
DPBT8105-7
DPBT8105-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@500mA@5V|80@1A@5V|30@2A@5V; 最大工作频率:150(Min...
TAJD226K025TNJV
TAJD226K025TNJV,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 22 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
TL062IPE4
TL062IPE4 ,二路低功耗 JFET 输入通用运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:3.5@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:6@±15V mV,最大输入偏置电流:0.0002@±15V uA,典型输入噪声电压密度:42@...
B45196H4335K109
B45196H4335K109,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
INA204AIDGSRG4
INA204AIDGSRG4 ,具有双路比较器和基准电压的 80V、低侧/高侧、高速、电压输出电流分流监控器,TI原厂生产,VSSOP-10封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10B122KB8NNND
CL10B122KB8NNND,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.2 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
SMBG45A-E3
SMBG45A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
OPA374AID
OPA374AID ,6.5MHz、585uA、轨至轨 I/O CMOS 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:6.5 MHz,典型转换速率:5@5.5V V/us,轨至轨输入/输出,最大输入失调电压:5@5V mV,最大输入偏置电流:0.00001@5.5V uA,典型...
LMH6504MM
LMH6504MM ,宽带，低功耗，可变增益放大器,TI原厂生产,MSOP-8封装,参数为:1 路可变增益放大器, 电源类型:Dual,最小双电源电压:±3.5 V,最大双电源电压:±6 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STM32F407VGT7TR
STM32F407VGT7TR,单片机，微控制器，168MHz，32位，1MB闪存，192K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LQFP,参数:MCU,168MHz,32Bit,1MB Flash,192K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
LM358DRG3
LM358DRG3 ,双路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.7 MHz,典型转换速率:0.3@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V@0C to 70C mA,最大输入失调电压:7@30V mV,最大输入偏置电流:0.25@5V uA,典型输...
IRFSL4310Z
IRFSL4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=127A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TAJR334K025RNJ
TAJR334K025RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 2012-12,R型,参数:容值: 0.33uF;电压: 25V;公差精度: 10%;外形尺寸: 2.05 X 1.3 X 1.2mm;等效串联电阻: 17 Ohm.咨询购买请致电:0755-83897562
ADS7955SDBTR
ADS7955SDBTR,10位,1MSPS、8通道、单端、微功耗、串行接口、SAR ADC,由TI原厂生产,TSSOP-30封装,参数为:分辨率:10 Bit,采样速率:1 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:8,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型:Voltage,...