IRF1018E
IRF1018E,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TAS5614PHD
TAS5614PHD ,150W 立体声/300W 单声道 PurePath? HD 数字输入功率级,TI原厂生产,64HTQFP EP封装,参数为:功能:扬声器,放大器类型:Class-D,典型输出功率x通道@载:300x1@2Ohm|200x2@3Ohm W,输入信号类型:Differential,输出信号类型:D...
PT380
PT380,光敏接收管,SHARP原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BT136S-600F,118
BT136S-600F,118,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:DPAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:27 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.7@5A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:1....
TLC271ACDR
TLC271ACDR ,可编程低功耗运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:1.7 MHz,典型转换速率:3.6@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.6@5V mA,最大输入失调电压:5@5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@5V uA,典型输入噪声电压...
KBPC1001P-B0-10001
KBPC1001P-B0-10001,二极管,整流桥堆,品牌:Panjit,封装:KBPC-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:100 V; 峰值反向电流:10 uA; 峰值平均正向电流:10@Tc=55C A; 峰值正向电压:1@5A V; 工作温度:-65 to 12...
VCA820IDG4
VCA820IDG4 ,具有 dB 线性可变增益控制放大器的 150MHz BW,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:1 路可变增益放大器, 电源类型:Dual,最小双电源电压:±3.5 V,最大双电源电压:±6 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TBME157M016LBSB0824
TBME157M016LBSB0824,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-43,E型,参数:容值: 150 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.03 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
BCM857BV,115
BCM857BV,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:175(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA...
ZTX689B
ZTX689B,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:500@100mA@2V|400@2A@2V|150@6A@2V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电极...
T495E108K004AHE035
T495E108K004AHE035,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7260-38,E型,参数:容值: 1000 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.035 Ohm;外形尺寸: 7.3*3.6*6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
TLC372CPSRG4
TLC372CPSRG4 ,双路通用 LinCMOS(TM) 差动比较器,TI原厂生产,SOP-8封装,参数为:2 路, 输出类型:Open Drain, 典型响应时间:0.65 us,最小单电源电压:3 V,最大单电源电压:16 V,最小双电源电压:±1.5 V,最大双电源电压:±8 V,温度范围:0 to 70 ℃...
XC3S400-5FG456CES
XC3S400-5FG456CES,现场可编程门阵列(FPGA),400K Gates,8064 Cells,725MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-456封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3,逻辑门数量(Gates):400000,逻辑单元数量(Cell...
ADS7863ARGET
ADS7863ARGET,双路、2MSPS、12位,2+2 或 3+3通道、同步采样 SAR ADC,由TI原厂生产,VQFN-24 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:2 Msps,ADC数量:2,模拟输入数量:6|4,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型...
ZXTD4591E6TA
ZXTD4591E6TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V@NPN|100@500mA@5V@NPN|80@1A@5V@NPN|30@2A@...
FODM3063
FODM3063,600V/5mA过零可控硅驱动器,由Fairchild原厂生产,MFP-4L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A42MX36-3PQ240I
A42MX36-3PQ240I,现场可编程门阵列(FPGA),54K Gates,1184 Cells,108MHz/180MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-240封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):5400...
STGB35N35LZT4
STGB35N35LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:380 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
TPD4E002DRLRG4
TPD4E002DRLRG4,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:TVS; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大漏电流:0.1 uA; 电容值:11(Typ)...
CB1AHF24J
CB1AHF24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadm...