PBSS301ND,115
PBSS301ND,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:300@0.5A@2V|300@1A@2V|250@2A@2V|200@4A@2V|100@6A@2V; 最大工作频率...
LM1084IT-3.3
LM1084IT-3.3,5A 低压降负电压稳压器,品牌:TI,封装:TO220-3,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.6 V,最大输入电压:27 V,最大输出电流:5A,输出电压:3.3 V,最大功耗:30000 mW,典型压差电压@电流:1.3@5A V,线性调整:6 mV,负载...
DAC811AH
DAC811AH,具有并行接口的12位数模转换器,由TI原厂生产,SBCDIP-28封装,参数为:分辨率:12 Bit,转换速率:250 Ksps,架构:R-2R,数字接口类型:Parallel,DAC通道数:1,每芯片输出:1,输出类型:Voltage,满量程误差:0.2 % of FSR,积分非线性误差:±0.5 ...
P4KE10CA-E3
P4KE10CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.55V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 27.6 A; 最大反向漏电流...
BCR191E6327HTSA1
BCR191E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
LM148 MD8
LM148 MD8 ,四路通用运算放大器,TI原厂生产,Die封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:0.5@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:3.6@±15V mA,最大输入失调电压:5@±15V mV,最大输入偏置电流:0.1@±15V uA,典型输入噪声电压密度:6...
TBME157M016LBSB0824
TBME157M016LBSB0824,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-43,E型,参数:容值: 150 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.03 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
LM358DE4
LM358DE4 ,双路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.7 MHz,典型转换速率:0.3@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V@0C to 70C mA,最大输入失调电压:7@30V mV,最大输入偏置电流:0.25@5V uA,典型输入...
XC4008-6PG191C
XC4008-6PG191C,现场可编程门阵列(FPGA),200448 Cells,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1513封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-4 LX,逻辑单元数量(Cells):200448,逻辑单元数量(Units):2004...
XC4VLX160-10FF1513C
XC4VLX160-10FF1513C,现场可编程门阵列(FPGA),152064 Cells,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1513封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-4 LX,逻辑单元数量(Cells):152064,逻辑单元数量(Units)...
LM4805LQ/NOPB
LM4805LQ/NOPB ,音频功率放大器,TI原厂生产,LLP-28 EP封装,参数为:功能:扬声器,放大器类型:Class-AB,典型输出功率x通道@载:1.2x1@8Ohm W,输入信号类型:Single,输出信号类型:Differential,输出类型:1-Channel Mono,总谐波失真噪声:0.2@8...
SM5108-015-AZ
SM5108-015-AZ,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
F751A477MRC
F751A477MRC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7260-38,R型,参数:容值: 470 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.12 Ohm;外形尺寸: 7.2*3.5*6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
SMCJ6052AE3
SMCJ6052AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电...
T495A474M025AHE4K5
T495A474M025AHE4K5,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 0.47 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 4.5 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:075...
ADS6124IRHBRG4
ADS6124IRHBRG4,具有可选并行CMOS 或 LVDS 输出的低功耗 12位105MSPS ADC,由TI原厂生产,VQFN-32 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:105 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:Pipelined,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial ...
MMBF4393LT1G
MMBF4393LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
CL05A224MQ5NNND
CL05A224MQ5NNND,通用X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 nF,电压6.3 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-20 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C220JBANFNC
CL21C220JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
PCS3P7303AG-08CR
PCS3P7303AG-08CR,射频IC,锁向环,PLL Single,品牌:ON,封装:8WDFN,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562