9FGV0831CKILF
9FGV0831CKILF,射频IC,锁向环,PLL Clock Generator Single,品牌:IDT,封装:48MLF EP,咨询购买请致电:0755-83897562
5ASXMB5E4F31I5N
5ASXMB5E4F31I5N,现场可编程门阵列(FPGA),462000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,FBGA-896封装,详细参数为:所属产品系列:Arria V SX,逻辑单元数量(Cells):462000,逻辑单元数量(Units):462000,寄存器数量(Registers):...
STM32L051K8U7
STM32L051K8U7,单片机，微控制器，32MHz，32位，64KB闪存，8K RAM内存,品牌:ST,封装:32-UFQFN,参数:MCU,32MHz,32Bit,64KB Flash,8K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
STIEC45-24AS
STIEC45-24AS,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:DO-214AB-2,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:42 V; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc/25@HBM KV; 最大工作电压:24 V; 最大漏电流:0.2 uA; 最低工作温度...
XC4VLX25-10SF363C096
XC4VLX25-10SF363C0965,现场可编程门阵列(FPGA),24192 Cells,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-363封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-4 LX,逻辑单元数量(Cells):24192,逻辑单元数量(Units):...
SML-810TB
SML-810TB,光敏接收管,ROHM原厂生产,DIP封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH60N60SFTU
FGH60N60SFTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
7152M-11LFT
7152M-11LFT,射频IC,锁向环,PLL Clock Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:8SOIC N,咨询购买请致电:0755-83897562
VCA2617RHBT
VCA2617RHBT ,2 通道可变增益放大器,TI原厂生产,32VQFN EP封装,参数为:2 路可变增益放大器, 电源类型:Single,最小单电源电压:4.75 V,最大单电源电压:5.25 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM15T18A-E3
SM15T18A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 308 A; 最大反向漏电流: ...
ADS1226IRGVRG4
ADS1226IRGVRG4,具有两路差动输入多路复用器和内部振荡器的24位ADC,由TI原厂生产,VQFN-16 EP封装,参数为:分辨率:24 Bit,采样速率:100 sps,ADC数量:1,模拟输入数量:2,架构:Delta-Sigma,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial (2-Wire),输入类...
LP5951MGX-2.5/NOPB
LP5951MGX-2.5/NOPB,微功耗 150mA 低压降 CMOS 电压稳压器,品牌:TI,封装:SC70-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.8 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:2.5 V,精度:±2 %,最大静态电流:0.055 mA...
XCS20XL-4TQ144Q
XCS20XL-4TQ144Q,现场可编程门阵列(FPGA),20K Gates,950 Cells,3.3V,由Xilinx from Components Direct原厂生产,TQFP-144封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-XL,逻辑门数量(Gates):20000,逻辑单元数量(Cells):9...
TLC27M2BCP
TLC27M2BCP ,LinCMOS(TM) 精密二路运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.525 MHz,典型转换速率:0.43@5V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:2@5V mV,最大输入偏置电流:0.0000006(Typ)@5V uA,典型输入噪...
G6B1114PUSP6BDC5
G6B1114PUSP6BDC5,继电器,SPST-NO,5A,5VDC,125Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Fr...
CWR19FB685KCBC
CWR19FB685KCBC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: B型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 8 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
UMD9NTR
UMD9NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83...
1N6111AUS
1N6111AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向漏电...
TISP4310T3BJR-S
TISP4310T3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:269 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:30 A; 重复峰值正向阻断电压:269 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度...
XC3S500E-4VQG100C
XC3S500E-4VQG100C,现场可编程门阵列(FPGA),500K Gates,10476 Cells,572MHz,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,VTQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3E,逻辑门数量(Gates):500000,逻...