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SMAJ26A

SMAJ26A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 9.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...

TPS76633DRG4

TPS76633DRG4,超低静态电流 250mA,3.3V输出,LDO 线性稳压器,品牌:TI,封装:SOIC-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.25 A,输出电压:3.3 V,最大功耗:904 mW,典型压差电压@电流:0.2...

SZ1SMA58CAT3G

SZ1SMA58CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 58V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.3 A; 最大反向漏电流: ...

PBSS5160PAPSX

PBSS5160PAPSX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-1118D-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:170@100mA@2V|120@500mA@2V|70@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@...

A3P030-QNG68

A3P030-QNG68,现场可编程门阵列(FPGA),30K Gates,231MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,QFN-68 EP封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):30000,系统门数量(System Gates...

ADS8528SPMR

ADS8528SPMR,12位,8通道、同步采样、双极性输入ADC,由TI原厂生产,LQFP-64封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:650 ksps,ADC数量:8,模拟输入数量:8,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Parallel|Serial,输入类型:Voltage,输入电压极性:Bi...

BC857BV,115

BC857BV,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@...

23S08-1HPGG

23S08-1HPGG,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Multiplier Single 10MHz to 133MHz,品牌:IDT,封装:16TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562

SM6T39AHE3

SM6T39AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 1 uA...

MAX2828ETN+

MAX2828ETN+,射频传感器,RF Transceiver 3.3V,品牌:Maxim,封装:56TQFN EP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562

CL10C121JB8NNND

CL10C121JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值120 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562

XC7K410T-2FBG900C

XC7K410T-2FBG900C,现场可编程门阵列(FPGA),406720 Cells,28nm Technology,1V,由Xilinx原厂生产,Lidless FCBGA-900封装,详细参数为:所属产品系列:Kintex-7,逻辑单元数量(Cells):406720,逻辑单元数量(Units):254200...

T510X686M025ATE045

T510X686M025ATE045,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 68 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.045 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...

TAJC106K020RNJ

TAJC106K020RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 10 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.2 Ohm;外形尺寸: 6*2.6*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...

R574402600

R574402600,射频开关,RF Switch SP6T 0MHz to 18GHz 60dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

XC4VFX12-10SF363C

XC4VFX12-10SF363C,现场可编程门阵列(FPGA),12312 Cells,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-363封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-4 FX,逻辑单元数量(Cells):12312,逻辑单元数量(Units):1231...

5P50904NBGI8

5P50904NBGI8,射频IC,锁向环,PLL Clock Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:8VFQFPN EP,咨询购买请致电:0755-83897562

TPS736125DRBTG4

TPS736125DRBTG4,具有反向电流保护的无电容 Nmos 400mA,1.25 V输出,低压降稳压器,品牌:TI,封装:VSON-8 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.4 A,输出电压:1.25 V,典型压差电压@电...

XC6SLX25-2FG484C

XC6SLX25-2FG484C,现场可编程门阵列(FPGA),24051 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LX,逻辑单元数量(Cells):24051,逻辑单元数量(Units):24051...

TPSD686K020R0200

TPSD686K020R0200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 68 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...