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LMH7220MKX/NOPB

LMH7220MKX/NOPB ,具有 LVDS 输出的高速比较器,TI原厂生产,TSOT-6封装,参数为:1 路, 输出类型:Complementary, 典型电压增益:59 dB,最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:12 V,最小双电源电压:±1.35 V,最大双电源电压:±6 V,温度范围:-40 to ...

TL064MFK

TL064MFK ,低功耗(JFET 输入)四路运算放大器,TI原厂生产,LCCC-20封装,参数为:4通道,通用放大器,典型转换速率:3.5@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:9@±15V mV,最大输入偏置电流:0.0002@±15V uA,典型输入噪声电压密度:42@±15V nV/rtHz,最...

INA2321

INA2321,微功耗单电源 CMOS 仪表放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SA120CAHE3

SA120CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA...

CPH6020-TL-E

CPH6020-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:60@50mA@5V; 最大工作频率:16000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:15 V; 工作温度:-55 ...

APA600-FGG484

APA600-FGG484,现场可编程门阵列(FPGA),600K Gates,180MHz,0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:ProASICPLUS,逻辑门数量(Gates):600000,系统门数量(System...

F951V225MAAAQ2

F951V225MAAAQ2,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: A型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 4.4 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.4*1.7 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFS7530

IRFS7530,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,Id=295A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BT236X-600F,127

BT236X-600F,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:20 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发...

LM2902QDRG4Q1

LM2902QDRG4Q1 ,汽车类四路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.2 MHz,典型转换速率:0.5@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:0.7(Typ)@5V mA,最大输入失调电压:7@26V mV,最大输入偏置电流:0.25@5V uA,...

TLE2022CDRG4

TLE2022CDRG4 ,双路精密低功耗单电源运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1.7 MHz,典型转换速率:0.5@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:0.6@5V mA,最大输入失调电压:0.6@5V mV,最大输入偏置电流:0.07@5V uA,典型输...

5KP6.0CAE3

5KP6.0CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 485 A; 最大反向漏电流: ...

SA6.5A

SA6.5A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.7 A; 最大反向漏电流: 400 u...

TPSE107K016R0125

TPSE107K016R0125,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-43,E型,参数:容值: 100 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.125 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...

TIM7179-25UL

TIM7179-25UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...

BC54PASX

BC54PASX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-1061D-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最小DC直流电流增益:63@0.15A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@500mA@50mA V; 最大集电极基极电压:45 V; 工作温度:-55 to 150 ...

SMBJ43CAHE3

SMBJ43CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...

T491D157M006AT

T491D157M006AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 150 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.7 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...

DNT2400C

DNT2400C,射频传感器,RF Transceiver MSK/FSK 5V,品牌:Murata,封装:40-Pin,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562

TPSMB27HE3T

TPSMB27HE3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 21.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 15.3 A; 最大反向漏电流: 1...