MAX3636ETM+T
MAX3636ETM+T,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Generator Single,品牌:Microsemi,封装:48TQFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
8735AKI-01LF
8735AKI-01LF,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Generator Single,品牌:IDT,封装:32VFQFPN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
F930J227MNC
F930J227MNC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343,N型,参数:容值: 220 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.5 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
LHI-1148
LHI-1148,热释电感应器,人体热释电红外传感器,由HEIMAN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:该产品不发任何类型的辐射,功耗很小,隐蔽性好,成本较低! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
12A02MH-TL-E
12A02MH-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V; 最大工作频率:450(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.24@20mA@400m...
BUF11705AIPWPR
BUF11705AIPWPR ,22V 电源 10+1 通道伽玛校正缓冲器,TI原厂生产,HTSSOP-28 EP封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
INA2141UE4
INA2141UE4 ,双路、低功耗 G = 10,100 仪表放大器,TI原厂生产,SOIC-16封装,参数为:2 路仪器仪表放大器, 电源类型:Dual,最小双电源电压:±2.25 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPS780180300DRVR
TPS780180300DRVR,超低功耗,150mA,LDO稳压器,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.2 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:1.8|3 V,最大功耗:1540 mW,典型压差电压@电流:0.2@...
PT91-21C
PT91-21C,光敏接收管,EVERLIGHT原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2308B-1HDCG8
2308B-1HDCG8,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Multiplier Single 10MHz to 133.3MHz,品牌:IDT,封装:16SOIC N,咨询购买请致电:0755-83897562
1SMB58CAT3G
1SMB58CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位...
RN1305,LF
RN1305,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50 V;...
BZT52C3V0
BZT52C3V0,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=3V,Min=2.8V,Max=3.2V,Zzt=95欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=10uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
T409G226K015RCT250
T409G226K015RCT250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: G型,参数:容值: 22 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.1 Ohm;外形尺寸: 6.73*2.79*2.79 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
TCJB226M025R0150
TCJB226M025R0150,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 22 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.15 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
CL21C221KBANNNC
CL21C221KBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
TISP4125M3BJR-S
TISP4125M3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:350 mA; 浪涌电流额定值:32 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 ...
IRFS7534-7P
IRFS7534-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.95mOhms,Id=240A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMSZ5236B
MMSZ5236B,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=7.5V,Min=7.13V,Max=7.88V,Zzt=6欧姆,Zzk=500欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STM8AF6223PDU
STM8AF6223PDU,单片机，微控制器，16MHz，8位，8KB闪存，1K RAM内存,品牌:ST,封装:20-TSSOP,参数:MCU,16MHz,8Bit,8KB Flash,1K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562