W155G
W155G,射频IC,锁向环,PLL Frequency Timing Generator Single 14.318MHz,品牌:Cypress,封装:16SOIC,咨询购买请致电:0755-83897562
TAJB475K016RNJ
TAJB475K016RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
MJE350G
MJE350G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:20000 mW; 安装方式:Through...
XC5206-3PC84C
XC5206-3PC84C,现场可编程门阵列(FPGA),10K Gates,784 Cells,83MHz,0.5um (CMOS) Technology,5V,由Xilinx原厂生产,PLCC-84封装,详细参数为:所属产品系列:XC5200,逻辑门数量(Gates):10000,逻辑单元数量(Cells):784...
ADC10DV200CISQE/NOPB
ADC10DV200CISQE/NOPB,具有并行LVDS/CMOS 输出的双路 10位,200MSPS 低功耗 A/D 转换器,由TI原厂生产,LLP-60 EP封装,参数为:分辨率:10 Bit,采样速率:200 Msps,ADC数量:2,模拟输入数量:2,架构:Pipelined,是否差分输入:Yes,数字接口类...
AGL125V2-CS196I
AGL125V2-CS196I,现场可编程门阵列(FPGA),125K Gates,130nm (CMOS) Technology,1.2V/1.5V,由Microsemi原厂生产,CSP-196封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO,逻辑门数量(Gates):125000,系统门数量(System Gates):...
OPA2377AID
OPA2377AID ,低成本、低噪声、5MHz CMOS 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:5.5 MHz,典型转换速率:2@5.5V V/us,轨至轨输出,最大输入失调电压:1@5V mV,最大输入偏置电流:0.00001@5.5V uA,典型输入噪声电压密度:7...
G7L2ABUBJCBDC24
G7L2ABUBJCBDC24,继电器,DPST-NO,25A,24VDC,303Ohm,品牌:Omron,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:25 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:79 mA; 线圈电阻:303 Ohm; 触点材质:Silv...
F970J335MAA
F970J335MAA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 4.5 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...
CCR-33S3O-T
CCR-33S3O-T,射频开关,RF Switch SPDT 0MHz to 18GHz 60dB,品牌:Teledyne Relays,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE33ARL4G
1.5KE33ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向...
1SMC33AT3G
1SMC33AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
XC3S700A-4FG484C
XC3S700A-4FG484C,现场可编程门阵列(FPGA),700K Gates,13248 Cells,667MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3A,逻辑门数量(Gates):700000,逻辑单元数量(Cel...
VS-VSKL136/12PBF
VS-VSKL136/12PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:135 A; 浪涌电流额定值:3360 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.5...
LP2981-33DBVR
LP2981-33DBVR,具有关断状态的 100mA 超低压降稳压器，1.25% 容差,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.2 V,最大输入电压:16 V,最大输出电流:0.1 A,输出电压:3.3 V,典型压差电压@电流:0.001@0A|0.00...
VS-ST110S04P0V
VS-ST110S04P0V,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; 重复峰值断...
IRF7507
IRF7507,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on)4.5V N-ch=140.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=270.0mOhms,RDS(on)2.7V N-ch=200.0mOhms,RDS(on)2.7...
NE68519-A
NE68519-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Ultra Super Mini-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:75@10mA@3V; 最大集电极基极电压:9 V; 工作温度:-65 to 150 ℃...
2SA933AS
2SA933AS,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
YCL-A2A
YCL-A2A,继电器,3PDT,10A,28VDC,600Ohm,品牌:Leach,参数:类型:Magnetic Latching Relay; 触点形式:3PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:46.67 mA; 线圈电阻:600 Ohm; 最大额定AC交流电压:115/200...