THS4503IDGN
THS4503IDGN ,高速全差动放大器,TI原厂生产,HTSSOP-8 EP封装,参数为:1 路差分放大器, 典型带宽增益:300 MHz, 最低CMRR值:54(Typ) dB,电源类型:Single|Dual,最小单电源电压:4.5 V,最大单电源电压:15 V,最小双电源电压:±2.25 V,最大双电源电压:...
XA3S1200E-4FGG400I
XA3S1200E-4FGG400I,现场可编程门阵列(FPGA),1.2M Gates,19512 Cells,572MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-400封装,详细参数为:所属产品系列:XA Spartan-3E,逻辑门数量(Gates):1200000,逻辑单元...
XC6SLX45-L1CSG484I
XC6SLX45-L1CSG484I,现场可编程门阵列(FPGA),43661 Cells,45nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,CSBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LX,逻辑单元数量(Cells):43661,逻辑单元数量(Units):4366...
MB88155PFT-G-101-JN-
MB88155PFT-G-101-JN-EFE1,射频IC,锁向环,Spread Spectrum Clock Generator Single 25MHz to 50MHz,品牌:Spansion,封装:8TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
LME49724MR/NOPB
LME49724MR/NOPB ,高性能、高保真、全差动音频运算放大器,TI原厂生产,8PSOP EP封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:50 MHz,典型转换速率:18@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:1@±15V mV,最大输入偏置电流:0.2@±15V uA,典型输入噪声电压密度:...
LM4995TM/NOPB
LM4995TM/NOPB ,1.3W 音频功率放大器,TI原厂生产,uSMD-9封装,参数为:功能:扬声器,放大器类型:Class-AB,典型输出功率x通道@载:1.3x1@8Ohm W,输入信号类型:Single,输出信号类型:Differential,输出类型:1-Channel Mono,总谐波失真噪声:0.0...
T520D156M025ATE080
T520D156M025ATE080,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 15 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.08 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:0755...
FMW4T148
FMW4T148,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-5,参数:类型:NPN; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:180@2mA@8V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@1mA@10mA V; 最大集电极基极电压:120 V; 工作...
B45196H3686K409
B45196H3686K409,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 68 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
P4KE47D-E3
P4KE47D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.3 A; 最大反向漏电流: 1...
R413805121
R413805121,固定衰减器,Coaxial Attenuator,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
LM120H-5.0
LM120H-5.0,串联 3 端子负电压稳压器,品牌:TI,封装:TO39-3,详细参数为:电压极性:Negative,输出数:1,最小输入电压:-7 V,最大输入电压:-25 V,最大输出电流:0.5 A,输出电压:-5 V,最大功耗:2000 mW,精度:±3 %,线性调整:25 mV,负载调节:50 mV,最大...
SMBJ36CE3
SMBJ36CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: ...
T491B475K025AG
T491B475K025AG,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
XC6VCX130T-1FFG784C
XC6VCX130T-1FFG784C,现场可编程门阵列(FPGA),128000 Cells,40nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-784封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-6 CXT,逻辑单元数量(Cells):128000,逻辑单元数量(Units):1...
HMC460LC5TR
HMC460LC5TR,射频运放芯片,RF Amp Chip Single Low Noise Amplifier 20000MHz 9V,品牌:ADI(Analog Devices),封装:32QFN,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200A03
AGN200A03,继电器,DPDT,1A,3VDC,64.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:46.7 mA; 线圈电阻:64.2 Ohm; 触点材质:Silver Palla...
XC3S50A-4VQ100C
XC3S50A-4VQ100C,现场可编程门阵列(FPGA),50K Gates,1584 Cells,667MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,VTQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3A,逻辑门数量(Gates):50000,逻辑单元数量(Cells)...
A3P125-FGG144T
A3P125-FGG144T,现场可编程门阵列(FPGA),125K Gates,231MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-144封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):125000,系统门数量(System Ga...
GBLA005-E3/51
GBLA005-E3/51,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 GBL,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:50 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:4 A; 峰值正向电压:1 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Thro...