1N6136A
1N6136A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
GBU4K
GBU4K,二极管,整流桥堆,品牌:Fairchild,封装:Case-4 GBU,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:800 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:4@Ta=100C A; 峰值正向电压:1 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:...
ST72F63BE4M1
ST72F63BE4M1,单片机，微控制器，8MHz，8位，16KB闪存，512 RAM内存,品牌:ST,封装:24-SOIC,参数:MCU,8MHz,8Bit,16KB Flash,512 RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
CWR29MK335KBFB
CWR29MK335KBFB,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: F型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.7 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5S20AHE3
SM5S20AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 3.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3600 W; 最大峰值脉冲电流: 111 A; 最大反向漏电流...
FMMT415TD
FMMT415TD,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@10mA@10V; 最大工作频率:40(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@1mA@1...
ST7FDALIF2M6
ST7FDALIF2M6,单片机，微控制器，8MHz，8位，8KB闪存，384 RAM内存,品牌:ST,封装:20-SOIC,参数:MCU,8MHz,8Bit,8KB Flash,384 RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
GBJ2502-F
GBJ2502-F,二极管,整流桥堆,品牌:Diodes,封装:GBJ-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:200 V; 峰值反向电流:10 uA; 峰值平均正向电流:25 A; 峰值正向电压:1.05@12.5A V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:T...
SM6T30AY
SM6T30AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 75 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
SMP100LC-120
SMP100LC-120,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DO-214AA-2,参数:类型:DIAC; 重复峰值反向电压:120 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:24 A; 重复峰值正向阻断电压:120 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:...
SMCJ11A
SMCJ11A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电...
INA157UA
INA157UA ,高速精密差动放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1 路差分放大器, 最低CMRR值:6.02(Typ) dB,电源类型:Dual,最小双电源电压:±4 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NXP3875YR
NXP3875YR,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:60...
TMS320C6202BZNZ300
TMS320C6202BZNZ300,品牌:Texas Instruments,封装:FCBGA-352,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:300 MHz,RAM大小:384 KB,设备每秒百万指令:2400 MIPS,数据总线宽度:16 Bit,设备输入时钟速度:300 MHz,指令集架构:...
M1AFS250-1PQG208
M1AFS250-1PQG208,现场可编程门阵列(FPGA),250K Gates,1282.05MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:Fusion,逻辑门数量(Gates):250000,系统门数量(Syste...
OPA365AIDR
OPA365AIDR ,2.2V、50MHz 低噪声单电源轨至轨运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:50 MHz,典型转换速率:25@5.5V V/us,轨至轨输入/输出,最大输入失调电压:0.2@5.5V mV,最大输入偏置电流:0.00001@5.5V uA,典型输...
NE5532P
NE5532P ,双路低噪声运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:10 MHz,典型转换速率:9@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:16@±15V mA,最大输入失调电压:4@±15V mV,最大输入偏置电流:0.8@±15V uA,典型输入噪声电压密度:8...
T492C106M015RHT100
T492C106M015RHT100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 10 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
SMCJ11CA
SMCJ11CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流...
TPA2039D1
TPA2039D1,固定增益 3.2W 单声道 D 类音频放大器，具有集成 DAC 噪声滤波器,TI原厂生产,DSBGA封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562