M7AFS600-1FGG256
M7AFS600-1FGG256,现场可编程门阵列(FPGA),600K Gates,1282.05MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Fusion,逻辑门数量(Gates):600000,系统门数量(Syste...
T495D336M020AHE200
T495D336M020AHE200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 33 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
G21.B.W.301111
G21.B.W.301111,天线,Antenna Penta-Band 1.5dBi/-0.3dBi/-1.1dBi/-2.2dBi/-4.3dBi 894MHz/960MHz/1880MHz/1990MHz/2170MHz,品牌:Taoglas,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
M74HC4017RM13TR
M74HC4017RM13TR高速CMOS逻辑IC由ST原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
VS-ST083S10PFK2P
VS-ST083S10PFK2P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:85 A; 浪涌电流额定值:2560 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:2.15@300A V; 重复...
BC817K25E6327HTSA1
BC817K25E6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:170(Typ) MHz...
T495D476M010AHE090
T495D476M010AHE090,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 47 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.09 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
T495X336K025AH4095
T495X336K025AH4095,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 33 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.175 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
ADS8331IBRGET
ADS8331IBRGET,2.7V-5.5V 16位500KSPS 低功耗串行ADC,由TI原厂生产,VQFN-24 EP封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:500 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:4,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型:Voltag...
IRF6718L2
IRF6718L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L6封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.70mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS511AT
SS511AT,霍尔传感器,由HONEYWELL原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1203T-TL-E
2SB1203T-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@2V; 最大工作频率:130(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.55@0.15A@3...
SM6T15CA-E3
SM6T15CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 147 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
ADY10005J
ADY10005J,继电器,SPST-NO,10A,5VDC,125Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/G...
XC3S200-4FTG256C
XC3S200-4FTG256C,现场可编程门阵列(FPGA),200K Gates,4320 Cells,630MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FTBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3,逻辑门数量(Gates):200000,逻辑单元数量(Cell...
VS-ST330C04C1
VS-ST330C04C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:720 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.96@1810A V; 重复...
TLV271CDRG4
TLV271CDRG4 ,550uA/通道 3MHz 轨至轨输出运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:3 MHz,典型转换速率:2.4@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.66@5V mA,最大输入失调电压:5@5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@5V...
TMS320R2812ZHHS
TMS320R2812ZHHS,品牌:Texas Instruments,封装:BGA-179 MICROSTAR,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:150 MHz,RAM大小:40 KB,设备每秒百万指令:150 MIPS,数据总线宽度:32 Bit,设备输入时钟速度:150 MHz,指令集...
T491B106K010ATAUTO
T491B106K010ATAUTO,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 10 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
TLV70228DBVT
TLV70228DBVT,用于便携式设备的 300mA、2.8 V低 IQ、低压降稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.3 A,输出电压:2.8 V,最大功耗:500 mW,典型...