• 登录
社交账号登录

CL31C330JGFNNNF

CL31C330JGFNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562

DMP015A-1

DMP015A-1,力敏传感器,由ForMEMS原厂生产,TOP-DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

A54SX16P-2VQ100I

A54SX16P-2VQ100I,现场可编程门阵列(FPGA),16K Gates,924 Cells,320MHz,0.35um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:SX,逻辑门数量(Gates):16000,逻辑单元数量(...

TPS73601DBVR

TPS73601DBVR,单路输出 LDO、400mA、可调节电压(1.2 至 5.5V)、无电容、低噪声、反向电流保护,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.4 A,输出电压:1.2 to 5.5 V...

XCV300-4PQG240C

XCV300-4PQG240C,现场可编程门阵列(FPGA),322.97K Gates,6912 Cells,250MHz,0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Xilinx from Components Direct原厂生产,PQFP-240封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex,逻...

ULN2066B

ULN2066B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...

TYN1012TRG

TYN1012TRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:15 mA; 额定平均通态电流:8 A; 浪涌电流额定值:145 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:1.6@24A V...

TLE2144IDWR

TLE2144IDWR ,四路低噪声高速精密运算放大器,TI原厂生产,SOIC-16封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:5.8 MHz,典型转换速率:45@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:17.6@5V mA,最大输入失调电压:3.8@5V mV,最大输入偏置电流:2@5V uA,典型输入噪声电...

SMCJ8.5CAHE3

SMCJ8.5CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.2 A; 最大反向漏电流: ...

SMBJ6.5A-13-F

SMBJ6.5A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.6 A; 最大反向漏电流: ...

ALZ12F12WT

ALZ12F12WT,继电器,SPDT,16A,12VDC,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最...

ADSP-21366KBCZ-1AA

ADSP-21366KBCZ-1AA,品牌:Analog Devices,封装:CSP-BGA-136,详细参数:数字和算术格式:Floating-Point,最大速度:333 MHz,RAM大小:384 KB,设备每秒百万指令:333 MIPS,数据总线宽度:32|40 Bit,设备输入时钟速度:333 MHz,指令...

IRFH4234

IRFH4234,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.6mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

M7A3P1000-PQG208I

M7A3P1000-PQG208I,现场可编程门阵列(FPGA),1M Gates,231MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):1000000,系统门数量(System ...

TPSD686M016R0150

TPSD686M016R0150,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 68 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.15 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...

SMCJ9.0CAHE3

SMCJ9.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 97.4 A; 最大反向漏电流: 20 ...

F721A108MMC

F721A108MMC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7260-20,M型,参数:容值: 1000 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.14 Ohm;外形尺寸: 7.2*2*6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

G2R1AET130DC24BYOMI

G2R1AET130DC24BYOMI,继电器,SPST-NO,16A,24VDC,1.1KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:21.8 mA; 线圈电阻:1.1 KOhm; 触点材质:Silver...

RPM7038-V4R

RPM7038-V4R,红外接收头,ROHM原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,体积小,抗光电干扰性能好,接收角度宽,价格实惠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ATMEGA16A-PU

ATMEGA16A-PU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562