SM6T100A-E3
SM6T100A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 22.5 A; 最大反向漏电流: 1...
LME49743MT/NOPB
LME49743MT/NOPB ,四路高性能、高保真音频运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:30 MHz,典型转换速率:12@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:1@±15V mV,最大输入偏置电流:0.25@±15V uA,典型输入噪声电压密度:6...
T491A685M020AT
T491A685M020AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 6 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
TPSD336K035S0300
TPSD336K035S0300,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 33 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.3 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
SMBJ13AHE3
SMBJ13AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
G6SK2FDC3
G6SK2FDC3,继电器,DPDT,2A,3VDC,品牌:Omron,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:3 V; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40...
T491A225M025AT
T491A225M025AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 7 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
ADC0804LCWM
ADC0804LCWM,兼容 8位?P 的A/D 转换器,由TI原厂生产,SOIC-20 W封装,参数为:分辨率:8 Bit,采样速率:10 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Parallel,输入类型:Voltage,输入电压极性:Unipolar,采样和保...
TMS320VC5409GGU100
TMS320VC5409GGU100,品牌:Texas Instruments,封装:BGA-144 MICROSTAR,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:100 MHz,RAM大小:64 KB,设备每秒百万指令:100 MIPS,数据总线宽度:16 Bit,设备输入时钟速度:100 MHz,...
CL31C470GHFNNNF
CL31C470GHFNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
EMD5T2R
EMD5T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V@NPN|30@10mA@5V@PNP; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
ESDA14V2LY
ESDA14V2LY,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-3,参数:类型:TVS; 配置:Dual; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:21 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:30@Air Gap|30@Con...
TLC27L1ID
TLC27L1ID ,LinCMOS(TM) 低功耗运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:0.085 MHz,典型转换速率:0.03@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:0.017@5V mA,最大输入失调电压:10@5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@...
LM2941GW-QMLV
LM2941GW-QMLV,1A 低压降可调节稳压器,品牌:TI,封装:CPACK-16,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最大输入电压:26 V,最大输出电流:1A,输出电压:5 to 20 V,典型压差电压@电流:0.5@1A V,线性调整:10 mV/V,负载调节:10 mV/V,最大静态电流:...
BUF04701AIPWR
BUF04701AIPWR ,4 通道 12V CMOS 缓冲放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型转换速率:10@±6V V/us,轨至轨输入/输出,最大输入失调电压:7@±5V mV,最大输入偏置电流:0.00001@12V uA,典型输入噪声电压密度:30@±6V nV/rt...
5CGTFD9E5F31I7N
5CGTFD9E5F31I7N,现场可编程门阵列(FPGA),301000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,FBGA-896封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone V GT,逻辑单元数量(Cells):301000,逻辑单元数量(Units):301000,寄存器数量(Registers...
G5Q14DC24
G5Q14DC24,继电器,SPDT,5(NO)/3(NC)ADC/10(NO)/3(NC)AAC,24VDC,1.44KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:5(NO)/3(NC)DC|10(NO)/3(NC)AC A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈...
R585443040
R585443040,射频开关,RF Switch DP3T 0MHz to 18GHz 60dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
TLV5639CDW
TLV5639CDW,12位，DAC，并行，电压输出，可编程内部 参考，建立时间、功耗、1通道,由TI原厂生产,SOIC-20封装,参数为:分辨率:12 Bit,转换速率:286 Ksps,架构:Resistor-String,数字接口类型:Parallel,DAC通道数:1,每芯片输出:1,输出类型:Voltage,...
2DA2018-7
2DA2018-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V; 最大工作频率:260(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10m...