CD214A-T12CALF
CD214A-T12CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 20.1 A; 最大反向漏电...
CL10B223KB8NNNC
CL10B223KB8NNNC,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
TPSB686M006R0350
TPSB686M006R0350,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 68 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.35 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
1N6122A
1N6122A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 35.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.7 A; 最大反向漏电流: 1...
SMCG120A-E3
SMCG120A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: ...
XC3S4000-5FGG900C
XC3S4000-5FGG900C,现场可编程门阵列(FPGA),4M Gates,62208 Cells,725MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-900封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3,逻辑门数量(Gates):4000000,逻辑单元数量(Cell...
VS-130MT120KPBF
VS-130MT120KPBF,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-6,参数:配置:Single; 桥型:Three Phase; 峰值反向重复电压:1200 V; 峰值反向电流:10000 uA; 峰值平均正向电流:160 A; 峰值正向电压:1.63@200A V; 工作温度:-40 t...
T495D225K050AHE600
T495D225K050AHE600,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.6 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
TAS5261
TAS5261,315W单声道BTL数字功率级,TI原厂生产,HSSOP-36封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31F105ZOCNNNC
CL31F105ZOCNNNC,通用Y5V电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 uF,电压16 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度+80/-20% .咨询购买请致电:0755-83897562
IGB01N120H2ATMA1
IGB01N120H2ATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:3.2 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
DAC8411IDCKT
DAC8411IDCKT,采用 SC70 封装的16位,单通道、80uA、2.0V-5.5V DAC,由TI原厂生产,SC-70-6封装,参数为:分辨率:16 Bit,架构:Resistor-String,数字接口类型:Serial (3-Wire, SPI, QSPI, Microwire),DAC通道数:1,每芯片...
T409F156K010RCT200
T409F156K010RCT200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: F型,参数:容值: 15 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
TRJC156K020RRJ
TRJC156K020RRJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 15 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.72 Ohm;外形尺寸: 6*2.6*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...
E-TDA7590
E-TDA7590,品牌:STMicroelectronics,封装:TQFP-144,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:120 MHz,RAM大小:384 KB,设备每秒百万指令:120 MIPS,数据总线宽度:24 Bit,设备输入时钟速度:120 MHz,工作电源电压:1.8|3.3 V...
TAS5631B
TAS5631B,具有集成反馈的 PWM 输入 300W 立体声 D 类放大器,TI原厂生产,44HSSOP,64HTQFP封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BUJ302AD,118
BUJ302AD,118,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:48@0.1A@5V|25@0.8A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|1.5@1A@3.5A...
R585F33210
R585F33210,射频开关,RF Switch DP3T 0MHz to 26.5GHz 55dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
P6KE8V2A-T
P6KE8V2A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 20...
2SC4116-BL(TE85L,F)
2SC4116-BL(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:350@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....