TPS70302PWPR
TPS70302PWPR,具有上电顺序的 1A/2A 双输出 LDO 稳压器 用于分压，可调节 输出 1.22V - 5.5V,品牌:TI,封装:HTSSOP-24 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:2,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:6 V,最大输出电流:1|2 A,输出电压:1.22 t...
A1020B-PLG84C
A1020B-PLG84C,现场可编程门阵列(FPGA),2K Gates,547 Cells,48MHz,1.0um (CMOS) Technology,5V,由Microsemi原厂生产,PLCC-84封装,详细参数为:所属产品系列:ACT 1,逻辑门数量(Gates):2000,逻辑单元数量(Cells):547...
SMBJ16CA
SMBJ16CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流: ...
XC3S1500-4FG676I0954
XC3S1500-4FG676I0954,现场可编程门阵列(FPGA),1.5M Gates,29952 Cells,630MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-676封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3,逻辑门数量(Gates):1500000,逻辑单元数量...
SI4736-C40-GM
SI4736-C40-GM,调协器,Tuners Radio 108MHz/162.55MHz/1.71GMHz,品牌:Silicon,封装:20QFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF5457
MMBF5457,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
P4KE82CA-E3
P4KE82CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.5 A; 最大反向漏电流:...
A3PN250-VQG100I
A3PN250-VQG100I,现场可编程门阵列(FPGA),250K Gates,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3 nano,逻辑门数量(Gates):250000,系统门数量(System Gat...
CR04AM-12A-TB#B00
CR04AM-12A-TB#B00,可控硅整流器,品牌:Renesas,封装:TO-92-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:3 mA; 额定平均通态电流:0.4 A; 浪涌电流额定值:10 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.2@1.2A V; 重复峰值断态...
EP1K10TC100-3
EP1K10TC100-3,现场可编程门阵列(FPGA),10K Gates,576 Cells,200MHz,CMOS Technology,2.5V,由Altera原厂生产,TQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:ACEX 1K,逻辑门数量(Gates):10000,逻辑单元数量(Cells):576,逻辑...
5CSXFC6C6U23C6N
5CSXFC6C6U23C6N,现场可编程门阵列(FPGA),110000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,UBGA-672封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone V SX,逻辑单元数量(Cells):110000,逻辑单元数量(Units):110000,寄存器数量(Registers...
SMAJ18CA
SMAJ18CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 13.7 A; 最大反向漏电流: 5 u...
TAJA156M004RNJ
TAJA156M004RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 15 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 20%;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
PDTB123YT,215
PDTB123YT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
BAR89-02LRH E6327
BAR89-02LRH E6327,PIN二极管开关,品牌:Infineon,封装:TSLP-2,参数:配置:Single; 最大反向电压:80 V; 最大正向电流:100 mA; 最大正向电压:1.1 V; 频率范围:UHF; 最大二极管电容:0.35@1V pF; 最大功率耗散:250 mW; 典型载流寿命时间:0...
TLC2552IDG4
TLC2552IDG4,12位400kSPS ADC，具有串行输出、TMS320 兼容（最高 10MHz）、双通道和自动扫略,由TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:400 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:2,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (3-...
G5LE14ASIDC24
G5LE14ASIDC24,继电器,SPDT,8ADC/10AAC,24VDC,1.44KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:8DC|10AC A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:1.44 KOhm; 触点材质:Sil...
AD8363ACPZ-WP
AD8363ACPZ-WP,其它射频IC,True RMS Power Detector,品牌:ADI(Analog Devices),封装:16LFCSP EP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
574MILF
574MILF,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Buffer Single,品牌:IDT,封装:8SOIC N,咨询购买请致电:0755-83897562
AT-31011-TR2G
AT-31011-TR2G,功率晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-143-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:5.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.016 A; 最小DC直流电流增益:70@1mA@2.7V; 最大工作频率:10000 MHz; 最大集电极基极电压:11 V; 工作...