J411DDM3-5L
J411DDM3-5L,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,50Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability TO-5 Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:100 mA; 线圈...
BD678G
BD678G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最大集电极基极电压:60 V; ...
STM32L051K6T6
STM32L051K6T6,单片机，微控制器，32MHz，32位，32KB闪存，8K RAM内存,品牌:ST,封装:32-LQFP,参数:MCU,32MHz,32Bit,32KB Flash,8K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
SMAJ188AHE3
SMAJ188AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 188V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.91 A; 最大反向漏电流: 1 ...
CL02C180JO2NNNC
CL02C180JO2NNNC,超小尺寸C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度±5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
T495X686M025AHE200
T495X686M025AHE200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 68 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
2SC3906KT146S
2SC3906KT146S,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:270@2mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@1mA@1...
T409D475K010BCT100
T409D475K010BCT100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: D型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 4.5 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
TAZD105J035CBSZ0000
TAZD105J035CBSZ0000,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: D型,参数:容值: 1 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 5%;等效串联电阻: 6.5 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...
STGP30V60F
STGP30V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to...
VS-ST183S08PFL1P
VS-ST183S08PFL1P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:195 A; 浪涌电流额定值:5130 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.8@600A V; 重复峰值...
1.5KA12HE3
1.5KA12HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.72V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 86.7 A; 最大反向漏电流...
HSMP-3894-TR1G
HSMP-3894-TR1G,PIN二极管开关,品牌:Avago,封装:SOT-23-3,参数:配置:Dual Common Cathode; 最大反向电压:100 V; 最大二极管电容:0.3@5V pF; 典型载流寿命时间:0.2 us; 安装方式:Surface Mount; 类型:Switch. 询报价及购买请...
NSVMUN5113DW1T3G
NSVMUN5113DW1T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
ADS6125IRHBTG4
ADS6125IRHBTG4,具有可选并行CMOS 或 LVDS 输出的低功耗 12位125MSPS ADC,由TI原厂生产,VQFN-32 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:125 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:Pipelined,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial ...
DAC7573IPWG4
DAC7573IPWG4,具有I2C 数字接口的四路 12位10us 数模转换器,由TI原厂生产,TSSOP-16封装,参数为:分辨率:12 Bit,转换速率:43 Ksps,架构:Resistor-String,数字接口类型:Serial (2-Wire, I2C),DAC通道数:4,每芯片输出:4,输出类型:Vol...
SA58AHE3
SA58AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
TLC081AID
TLC081AID ,单路宽带高输出驱动单电源运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:10 MHz,典型转换速率:16@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:2.5@5V mA,最大输入失调电压:1.4@5V mV,最大输入偏置电流:0.00005@5V uA,典型输...
F931D476MCC
F931D476MCC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-27,C型,参数:容值: 47 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 1.1 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5253B
MMBZ5253B,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=25V,Min=23.75V,Max=26.25V,Zzt=35欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562