TAZH476M020CBSC0024
TAZH476M020CBSC0024,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: H型,参数:容值: 47 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
THS1041CDW
THS1041CDW,10位,40MSPS 低功耗 ADC 具有PGA和内部精密钳位,由TI原厂生产,SOIC-28封装,参数为:分辨率:10 Bit,采样速率:40 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:Pipelined,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Parallel,输入类型:Voltage,输...
MLVB04V18C0R5
MLVB04V18C0R5,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:CSMD-2,参数:类型:Multilayer Varistor; 引脚数量:2; 最大钳位电压:250 V; 最大工作电压:18 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:0.5 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工...
2SC5876T106R
2SC5876T106R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:180@50mA@2V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@10...
704-15K36H3
704-15K36H3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 31.5V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 8,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 300 A; 最大...
LXMS2HACNF-165
LXMS2HACNF-165,其它射频IC,RFID Module,品牌:Murata,封装:6SMD,咨询购买请致电:0755-83897562
STM32F103R4H6A
STM32F103R4H6A,单片机，微控制器，72MHz，32位，16KB闪存，6K RAM内存,品牌:ST,封装:64-TFBGA,参数:MCU,72MHz,32Bit,16KB Flash,6K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
TLE2061CDR
TLE2061CDR ,JFET 输入高输出驱动 uPower 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:1.8 MHz,典型转换速率:3.4@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:0.325@±5V mA,最大输入失调电压:3.1@±5V mV,最大输入偏置电流:0...
EP20K100EQC240-1
EP20K100EQC240-1,现场可编程门阵列(FPGA),100K Gates,4160 Cells,250MHz,CMOS Technology,1.8V,由Altera原厂生产,PQFP-240封装,详细参数为:所属产品系列:APEX 20K,逻辑门数量(Gates):100000,逻辑单元数量(Cells)...
TPSMP15AHM3
TPSMP15AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-220AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 18.9 A; 最大反向漏...
SMF18A-GS08
SMF18A-GS08,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:Vishay,封装:DO-219AB-2,参数:类型:TVS; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:29.2 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Disc kV; ...
G6J2FSYDC5
G6J2FSYDC5,继电器,DPDT,1A,5VDC,173.1Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Ultra-Compact and Slim Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:28.9 mA; 线圈电阻:173.1 Ohm; 触点材质:Silver...
GBLA02-E3/45
GBLA02-E3/45,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 GBL,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:200 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:4 A; 峰值正向电压:1 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Thro...
T491A475K010AH
T491A475K010AH,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 5 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
SI4431-B1-FM
SI4431-B1-FM,射频传感器,RF Transceiver FSK/GFSK/OOK 3V,品牌:Silicon,封装:20QFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
OPA241UA/2K5G4
OPA241UA/2K5G4 ,单电源、微功耗运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:0.035 MHz,典型转换速率:0.01@5V V/us,轨至轨输出,最大输入失调电压:0.25@5V mV,最大输入偏置电流:0.02@5V uA,典型输入噪声电压密度:45@5V n...
BZX584B3V6
BZX584B3V6,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=3.6V,Min=3.53V,Max=3.67V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ST72F324J2TAE
ST72F324J2TAE,单片机，微控制器，8MHz，8位，8KB闪存，384 RAM内存,品牌:ST,封装:44-LQFP,参数:MCU,8MHz,8Bit,8KB Flash,384 RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
1N6107A
1N6107A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: 20 ...
INA126PA
INA126PA ,微功耗仪器放大器单路和双路版本,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:1 路仪器仪表放大器, 最低CMRR值:80(Typ) dB,电源类型:Single|Dual,最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:36 V,最小双电源电压:±1.35 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-40 ...