LBN150B01-7--功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SOT-26 T/R

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    LBN150B01-7

    • 品牌Diodes
    • 封装SOT-26-6
    • 批号2018+
    • 数量电询
    • 说明功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A
    • DescriptionTrans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SOT-26 T/R
    • DataSheethttp://www.diodes.com/datasheets/ds30749.pdf
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    LBN150B01-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:105@100uA@1V|110@1mA@1V|120@10mA@1V|90@50mA@1V|32@100mA@1V|10@200mA@1V; 最大工作频率:250(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@5mA@50mA|0.5@20mA@200mA V; 最大集电极基极电压:60 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:300 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

    1. 详细信息

    电气特性 Features

    Type:NPN|PNP
    Pin Count:6
    Maximum Collector Emitter Voltage:40 V
    Maximum DC Collector Current:0.2 A
    Minimum DC Current Gain:105@100uA@1V|110@1mA@1V|120@10mA@1V|90@50mA@1V|32@100mA@1V|10@200mA@1V
    Maximum Operating Frequency:250(Min) MHz
    Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.15@5mA@50mA|0.5@20mA@200mA V
    Maximum Collector Base Voltage:60 V
    Operating Temperature:-55 to 150 ℃
    Maximum Power Dissipation:300 mW
    Mounting:Surface Mount
    Rad Hard:No
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