PDTD143XUX
PDTD143XUX,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
T491V227K010ZT
T491V227K010ZT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343,V型,参数:容值: 220 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
LP2983AIM5X-1.0/NOPB
LP2983AIM5X-1.0/NOPB,采用 SOT-23 封装的微功耗 150 mA 电压稳压器，用于输出电压 1V,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.2 V,最大输入电压:16 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:1 V,精度:±1 %,...
LP3871ES-1.8/NOPB
LP3871ES-1.8/NOPB,0.8A 快速超低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:TO263-6,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.5 V,最大输入电压:7 V,最大输出电流:0.8 A,输出电压:1.8 V,典型压差电压@电流:0.024@80mA|0.2...
EP4CE10F17C9LN
EP4CE10F17C9LN,现场可编程门阵列(FPGA),10320 Cells,1.2V,由Altera原厂生产,TFBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone IV,逻辑单元数量(Cells):10320,逻辑单元数量(Units):10320,典型操作电源电压:1.2 V,最大用户输入/输出数...
SPI-900-0101
SPI-900-0101,反射式开关,由SANYO原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,易安装,最佳感应距离1-10mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NB2308AI3DR2G
NB2308AI3DR2G,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Buffer Single,品牌:ON,封装:16SOIC,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
TLC3702IP
TLC3702IP ,双路微功耗推挽输出 LinCMOS(TM) 电压比较器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2 路, 输出类型:Push-Pull, 最小单电源电压:3 V,最大单电源电压:16 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK932-24-TB-E
2SK932-24-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
J432-18PM
J432-18PM,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,18VDC,1.6KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:18 V; 线圈电流:11.25 mA; 线圈电...
JANTX2N2219A
JANTX2N2219A,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-39-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30@500m...
SMF43A-E3-08
SMF43A-E3-08,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:Vishay,封装:DO-219AB-2,参数:类型:TVS; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:69.4 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±30@Air Disc|±30@Cont...
A54SX32-2TQ144IX3
A54SX32-2TQ144IX3,现场可编程门阵列(FPGA),32K Gates,1800 Cells,320MHz,0.35um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,TQFP-144封装,详细参数为:所属产品系列:SX,逻辑门数量(Gates):32000,逻辑单元数...
9DB106BFLF
9DB106BFLF,射频IC,锁向环,IC ZERO DELAY PLL CLOCK BUFFER SNGL3.3V 28SSOP,品牌:IDT,封装:28SSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
XC7A100T-2FG484I
XC7A100T-2FG484I,现场可编程门阵列(FPGA),101440 Cells,28nm Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Artix-7,逻辑单元数量(Cells):101440,逻辑单元数量(Units):63400,寄存器数量(Regi...
M1AFS1500-1FG256
M1AFS1500-1FG256,现场可编程门阵列(FPGA),1.5M Gates,1282.05MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Fusion,逻辑门数量(Gates):1500000,系统门数量(Syst...
INA110KP
INA110KP ,快速建立 FET 输入极高精度的仪表放大器,TI原厂生产,PDIP-16封装,参数为:1 路仪器仪表放大器, 最低CMRR值:58.06 dB,电源类型:Dual,最小双电源电压:±6 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-25 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
TLE2062IDG4
TLE2062IDG4 ,双路 JFET 输入高输出驱动微功耗运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1.8 MHz,典型转换速率:3.4@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:0.62@±5V mA,最大输入失调电压:5@±5V mV,最大输入偏置电流:0.000...
TMX320C6452ZUT9
TMX320C6452ZUT9,品牌:Texas Instruments,封装:FCBGA-529,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:900 MHz,设备每秒百万指令:7200 MIPS,数据总线宽度:32 Bit,设备输入时钟速度:900 MHz,指令集架构:Advanced VLIW,工作...
TISP4360H3BJR-S
TISP4360H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:290 V; 最大保持电流:800 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:290 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 ...