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T495X686K025ATE12572

T495X686K025ATE1257280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 68 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.125 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0...

A54SX16P-PQG208I

A54SX16P-PQG208I,现场可编程门阵列(FPGA),16K Gates,924 Cells,240MHz,0.35um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:SX,逻辑门数量(Gates):16000,逻辑单元数量(...

STRVS142X02F

STRVS142X02F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 102V,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 142 V; 最大反向关态...

T491A335K020AH

T491A335K020AH,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 4.5 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...

CL05B332KB5VPNC

CL05B332KB5VPNC,汽车用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562

SM16LC03

SM16LC03, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Uni-Dir 3.3V 500W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 200...

ZXTN25100DGTA

ZXTN25100DGTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|120@0.5A@2V|40@1A@2V; 最大工作频率:175(Typ) MH...

G5V1DC24

G5V1DC24,继电器,SPDT,1A,24VDC,3.84KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:6.25 mA; 线圈电阻:3.84 KOhm; 触点材质:Silver/Gold; 最大额定AC交流电...

M2S090T-1FG484M

M2S090T-1FG484M,现场可编程门阵列(FPGA),86316 Cells,65nm Technology,1.2V,由Microsemi原厂生产,FPBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:SmartFusion2,逻辑单元数量(Cells):86316,逻辑单元数量(Units):86316,典型操...

LXES2TBBB4-028

LXES2TBBB4-028,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Murata,封装:UDFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±10@Contact Disc kV; 最大工作电压...

XC5VTX150T-2FF1156I

XC5VTX150T-2FF1156I,现场可编程门阵列(FPGA),65nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1156封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-5 TXT,典型操作电源电压:1 V,最大用户输入/输出数量:360,内存RAM位数:8404992,在系统...

5CGXFC4C6U19C7N

5CGXFC4C6U19C7N,现场可编程门阵列(FPGA),50000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,UBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone V GX,逻辑单元数量(Cells):50000,逻辑单元数量(Units):50000,寄存器数量(Registers):7...

2N6287G

2N6287G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:100@20A@3V|750@10A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@40mA@10A|3@200mA@2...

SMBG58CA-E3

SMBG58CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...

CL02C9R8BO2GNNC

CL02C9R8BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值9.8 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562

CL02C060BO2GNNC

CL02C060BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值6 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562

T495V686K010AHE140

T495V686K010AHE140,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-20,V型,参数:容值: 68 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.14 Ohm;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...

KTC4377

KTC4377,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=10V,BVebo=6V,hfe(Min)=140,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.5V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...

NB2308AI2DG

NB2308AI2DG,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Buffer Single,品牌:ON,封装:16SOIC,咨询购买请致电:0755-83897562

TAJY476K010RNJ

TAJY476K010RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-20,Y型,参数:容值: 47 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.5 Ohm;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...