0755-83897562
产品中心
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STM8AF6289TAY
单片机，微控制器，24MHz，8位，64KB闪存，4K RAM内存 -
R574F23410
射频开关,RF Switch SP4T 0MHz to 26.5GHz 55dB -
SZESD8451MUT5G
ESD静电抑制器,TVS二极管,参数:ESD Suppressor TVS ±15KV -
QEE323
红外发射管 -
TPS76850QPWPG4
单输出 LDO、1.0A、固定电压 (5.0V)、低静态电流、快速瞬态响应 -
DAC7612UB/2K5G4
双路 12位串行输入数模转换器 -
CWR19KC226JCXC
贴片钽电容,22uF,25VDC,5%,0.01%(FR) -
DS1EML9J
继电器, SPDT, 3A, 9VDC -
LC110
瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 1.5KW -
XC6SLX45-L1CSG484C
现场可编程门阵列(FPGA),43661 Cells,45nm (CMOS) Technology,1V -
M1A3P400-1FG484I
PROASIC3 -
2N5087
晶体管,三极管 -
NZQA6V8AXV5T3G
ESD静电抑制器,TVS二极管,参数:ESD Suppressor TVS -
SMAJ16CAE3
瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 500W -
CL03C5R1CA3GNNC
高Q值C0G电容,5.1 pF,25 Vdc,0.6 x 0.3mm (0201),+/-0.25 pF -
BC556ABU
功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 65V 0.1A -
BGU7045,115
射频运放芯片,RF Amp Chip Single GP 1GHz 3.5V -
XC3S200A-4FTG256C4124
现场可编程门阵列(FPGA),200K Gates,4032 Cells,667MHz,90nm Technology,1.2V -
ADS58B19IRGZT
具有SNRBoost 的9位250MSPS 缓冲 ADC -
2SD2673TL
功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN 30V 3A